|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ИНХС РАН |
||
ИССЛЕДОВАНИЕ ОБРАЗОВАНИЯ РАДИАЦИОННО-СТИМУЛИРОВАННЫХ ПРИМЕСНЫХ ДЕФЕКТОВ В КРИСТАЛЛАХ CAF2, АКТИВИРОВАННЫХ ТРЕХВАЛЕНТНЫМИ РЕДКОЗЕМЕЛЬНЫМИ ИОНАМИ Сстатья
Статья опубликована в журнале из списка RSCI Web of Science
Статья опубликована в журнале из перечня ВАКСтатья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
- Авторы: Саркисов С.Э., Юсим В.А., Писаревский Ю.В.
- Журнал: Кристаллография
- Том: 68
- Номер: 1
- Год издания: 2023
- Издательство: ФГУП Издательство «Наука»
- Местоположение издательства: Москва
- Первая страница: 68
- Последняя страница: 76
- DOI: 10.31857/S0023476123010241
- Аннотация: В активированных кристаллах ионизирующее излучение вызывает образование примесных дефектов при переходе ионов примеси из трехвалентного в двухвалентное состояние. Предложен подход к изучению влияния энергетического положения R3+-ионов в зонной схеме кристаллов СaF2 на степень устойчивости ионов атомов редкоземельных элементов в двухвалентном состоянии в результате перехода электронных 4fn-состояний R3+ → R2+-ионов под действием ионизирующего излучения. Изучены процессы прямого и обратного фотохромизма, происходящие на примесных дефектах, связанные соответственно с окрашиванием активированных кристаллов под действием γ-излучения и обесцвечиванием под действием УФ-излучения. Предложен механизм фотохромного превращения, учитывающий участие в процессе радиационно-наведенных центров окраски. Рассмотрен валентный переход R3+ → R2+ в представлении реакции фотоокисления. По результатам расчетов изменения энергии Гиббса проанализированы возможности и условия протекания реакции ионного превращения в зависимости от вида ионизирующего излучения, воздействующего на кристаллы с R3+-ионами.
- Добавил в систему: Юсим Валентин Александрович