Аннотация:Рассмотрены покрытия, содержащие фазы на основе наноалмазов и аморфного углерода (a-C : ND-покрытия), синтезированные методом химического газофазного осаждения в плазме дугового разряда (плазменно-химического осаждения) при различных относительных концентрациях Ar/H2/CH4. По данным спектроскопии комбинационного рассеяния, исследуемые покрытия помимо алмазной субструктуры содержат фазы на основе аморфного углерода и полиенов, тогда как алмазная фаза пассивирована водородом в различной степени. Рассмотрена взаимосвязь между параметрами осаждения и структурой материалов. Показано, что упорядоченность аморфной субструктуры и формирование границ раздела фаз оказывают влияние на свойства электронного транспорта и вторичной электронной эмиссии. Рассмотрен вопрос анализа спектров истинно вторичных электронов в применении к аттестации наноструктурированных углеродных образцов. Показано, что изменение доли полиенов в структуре образцов приводит к вариации соотношения автоэлектронной и надбарьерной эмиссии. Рассмотрено влияние структурного и фазового состава образцов на их эмиссионные характеристики, в частности, на поле активации эмиссии, значение которого для исследуемых образцов варьировалось в диапазоне 9-18 V/μm.