|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ИНХС РАН |
||
Switching and memory effects in partly crystallized amorphous Ge2Sb2Te5 films in a current controlled modeстатья
Статья опубликована в высокорейтинговом журнале
Информация о цитировании статьи получена из
Web of Science,
Scopus
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 26 апреля 2017 г.
- Авторы: Almasov Nurlan, Bogoslovskiy Nikita, Korobova Nataly, Kozyukhin Sergey, Fefelov Sergey, Kazakova Lyudmila, Jakovlev Sergey, Tsendin Konstantin, Guseinov Nazim
- Журнал: Journal of Non-Crystalline Solids
- Том: 358
- Номер: 23
- Год издания: 2012
- Издательство: Elsevier BV
- Местоположение издательства: Netherlands
- Первая страница: 3299
- Последняя страница: 3303
- DOI: 10.1016/j.jnoncrysol.2012.09.008
- Добавил в систему: Козюхин Сергей Александрович