Аннотация:Представлены результаты исследования состава, структуры и свойств пленки аморфного SiOx, полученной методом электронно-лучевого испарения и имплантированной ионами Zn с энергией 40 keV и дозой 3·1016 cm-2. Пленка отжигалась на воздухе при температурах от 400 до 800oС с шагом 100oС в течение 40 min на каждом этапе. Обнаружено, что после имплантации на поверхности и в приповерхностном слое оксида кремния образуются металлические нанокластеры Zn размером около 10 nm. В процессе отжигов имплантированный слой просветляется, так как металлический Zn постепенно окисляется до прозрачных фаз его оксида ZnO и силицида Zn2SiO4. После отжига при 700oС на поверхности и в приповерхностном слое пленки SiO2 выявлены нанокластеры ZnO и кратеры на поверхности. Ключевые слова: пленка оксида кремния, электронно-лучевое испарение, имплантация Zn, термическое оксидирование, нанокластеры, ZnO.