|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ИНХС РАН |
||
Regularities of ion-beam-induced crystallization and properties of InAs-QD/GaAs(001) semiconductor nanoheterostructuresстатья
Информация о цитировании статьи получена из
Scopus
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 1 мая 2024 г.
- Авторы: Chebotarev S.N., Pashchenko A.S., Lunin L.S., Irkha V.A.
- Журнал: Nanotechnologies in Russia
- Том: 11
- Номер: 7-8
- Год издания: 2016
- Издательство: Pleiades Publishing, Ltd
- Местоположение издательства: Road Town, United Kingdom
- Первая страница: 435
- Последняя страница: 443
- DOI: 10.1134/s1995078016040030
- Добавил в систему: Чеботарев Сергей Николаевич