Аннотация:Методом рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии исследован процесс восстановления поверхности высшего оксида Ta2O5 в результате облучения ионами инертного газа (Ar+) и ионами химически активного газа (O2+) с энергией 3 кэВ в условиях высокого вакуума при комнатной температуре. Обнаружено, что при бомбардировке ионами Ar+ в поверхностных слоях оксида Ta2O5 образуются промежуточный оксид TaO2, низший оксид TaO и металлический Ta. Бомбардировка ионами O2+ приводит к образованию в поверхностных слоях оксида Ta2O5 только незначительного количества промежуточного оксида TaO2. Установлено, что процесс ионно-лучевого восстановления поверхности оксида Ta2O5 зависит от типа иона и дозы облучения.