|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ИНХС РАН |
||
Исследование методом спектроскопии поглощения рентгеновских лучей структуры наночастиц Zn в матрице Si после облучения быстрыми ионами Хестатья
Статья опубликована в журнале из списка RSCI Web of Science
Статья опубликована в журнале из перечня ВАК- Авторы: Храмов Е.В., Привезенцев В.В., Куликаускас В.С.
- Журнал: Письма в "Журнал технической физики"
- Том: 12
- Год издания: 2023
- Издательство: Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
- Местоположение издательства: Москва
- Первая страница: 3
- DOI: 10.21883/PJTF.2023.12.55564.19418
- Аннотация: Методом спектроскопии поглощения рентгеновских лучей на K-крае Zn исследуется изменение структуры наночастиц Zn в матрице Si после облучения быстрыми ионами Хе. По данным XANES в образцах с разными флюенсами Хе цинк имеет сходное локальное окружение и находится в металлической фазе. По данным EXAFS интенсивный пик фурье-трансформант находится в диапазоне 2-3 Angstrem. После облучения Хе интенсивность этого пика снижается по сравнению с таковой в случае имплантированного образца, что указывает на очень сильное разупорядочение локальной структуры, характерное для наночастиц с размером менее 5 nm. Ключевые слова: кремний, имплантация Zn, облучение быстрыми тяжелыми ионами, наночастицы, XANES, EXAFS.
- Добавил в систему: Куликаускас Вацловас Станиславович