Выберите категорию обращения:
Общие вопросы
Отчеты
Рейтинги
Мониторинговый отчёт
Диссертационные советы
Конкурсы
Ввод данных
Структура организаций
Аспирантура
Научное оборудование
Импорт педагогической нагрузки
Журналы и импакт-факторы
Тема обращения:
Описание проблемы:
Введите почтовый адрес:
ИСТИНА
Войти в систему
Регистрация
ИСТИНА ИНХС РАН
Главная
Поиск
Статистика
О проекте
Помощь
THE POSITION OF THE FERMI LEVEL IN HEAVILY DOPED SEMICONDUCTORS
статья
Информация о цитировании статьи получена из
Web of Science
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 27 мая 2015 г.
Автор:
ZVYAGIN I.P.
Журнал:
SOVIET PHYSICS-SOLID STATE
Том:
5
Номер:
2
Год издания:
1963
Первая страница:
422
Последняя страница:
425
Добавил в систему:
Звягин Игорь Петрович