|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ИНХС РАН |
||
Локальная атомная структура нанокристаллического GaAs по данным EXAFS-исследованийстатья
Статья опубликована в журнале из списка RSCI Web of Science
Статья опубликована в журнале из перечня ВАКСтатья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 24 января 2020 г.
- Авторы: Валеев Р.Г., Деев А.Н., Рац Ю.В., Бабанов Ю.А., Крылов П.Н., Кобзиев В.Ф., Ломаева С.Ф.
- Журнал: Физика и техника полупроводников
- Том: 35
- Номер: 6
- Год издания: 2001
- Издательство: Наука
- Местоположение издательства: СПб.
- Первая страница: 655
- Последняя страница: 657
- Аннотация: Рассмотрены условия получения нанокристаллических пленок арсенида галлия термическим методом на базе модернизированной вакуумной установки УВН-71-П3 с использованием трех видов испарителей. С помощью метода протяженной тонкой структуры рентгеновского спектра поглощения (английская аббревиатура EXAFS) исследована локальная атомная структура полученных образцов.
- Добавил в систему: Валеев Ришат Галеевич
Прикрепленные файлы
| № | Имя | Описание | Имя файла | Размер | Добавлен |
|---|---|---|---|---|---|
| 1. | Полный текст | Статья | FTP_2001-35-6_655-657.pdf | 141,8 КБ | 15 мая 2017 [RiVal] |