Аннотация: Используя параметры магнитного фазового расслоения между антиферромагнитной (АФ) и диагональной (Q,Q) магнитными фазами, вычисленными на основе двумерной однозонной t-t' модели Хаббарда, исследуются температурные зависимости электросопротивления вызванного рассеянием электронов на термических флуктуациях спиновой плотности, которые рассчитываются как с учетом магнитного фазового расслоения так и без его учета. Рассматриваются геометрические модели фазового расслоения в виде высокопроводящих капель (Q,Q) фазы в слабопроводящей АФ матрице и чередующихся высокопроводящих слоев (Q,Q) фазы и слабопроводящих АФ слоев. Для первой модели получена зависимость геометрических параметров фазового расслоения от температуры. Анализируются особенности температурной зависимости электросопротивления в этих моделях. Обсуждается связь полученных результатов с имеющимися экспериментальными данными.