Local Atomic Structure of Cu(InxGa1 –x)Se2 (x= 0.25, 0.5, and 0.75) Systems for Solar Cells

Deev, A.N.; Valeev, R.G.; Gil’mutdinov, F.Z.; Gai, D.E.

Информация о цитировании статьи получена из Web of Science, Scopus
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 20 мая 2017 г.

Авторы: Deev A.N., Valeev R.G., Gil’mutdinov F.Z., Gai D.E.
Журнал: Journal of Surface Investigation: X-ray, Synchrotron and Neutron Techniques
Том: 1
Номер: 1
Год издания: 2007
Издательство: Pleiades Publishing, Ltd
Местоположение издательства: Road Town, United Kingdom
Первая страница: 40
Последняя страница: 43
Аннотация: The local atomic structure of thin surface layers of crystalline quasi-binary Cu(InxGa1 –x)Se2 solid solutions was studied by SIMS and EXAFS techniques. The SIMS method showed that the elemental composition of the sample changes most significantly in thin layers at a depth of 5–10 nm; in deeper layers, the component concentrations correspond to the bulk values. The EXAFS method in the x-ray fluorescence mode showed that the results obtained are in agreement with the assumption that quaternary crystalline quasi-binary Cu(InxGa1 –x)Se2 solid solutions exhibit local disorder while average long-range order is detected from x-ray diffraction data.
Добавил в систему: Валеев Ришат Галеевич

	ИСТИНА	Войти в систему Регистрация
	ИСТИНА ИНХС РАН
	Главная Поиск Статистика О проекте Помощь

ИСТИНА

ИСТИНА ИНХС РАН

Local Atomic Structure of Cu(InxGa1 –x)Se2 (x= 0.25, 0.5, and 0.75) Systems for Solar Cellsстатья Перевод

Прикрепленные файлы