Аннотация:Пластины монокристаллического c-Ge, имплантированные ионами Ag+ энергией E = 30keV, плотностью тока в ионном пучке J = 5 μА/cm2 и дозой D = 2.5 · 1016 ion/cm2, были подвергнуты быстрому термическому отжигу одиночными световыми импульсами различной длительности от 1 до 9.5 s. Методами сканирующей электронной микроскопии и оптического отражения установлено, что в результате ионной имплантации на поверхности подложек c-Ge образуется аморфный пористый слой Ag : PGe губчатой структуры, состоящий из нанонитей Ge. Установлено, что отжиг c возрастанием длительности импульсов до 5s последовательно приводит к увеличению диаметров нанонитей Ge от 26 до 35nm. При более длительных импульсах наблюдались разрушение пористой структуры Ag:PGe и испарение Ag из имплантированных слоев. На поверхности образца, отожженного при максимальной температуре, наблюдалось образование террас и каплевидных сферических образований германия. Обнаружено влияние длительности быстрого термического отжига на ВАХ отожженных образцов.