|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ИНХС РАН |
||
Syntesis and structure investigations of nanostructures massive of GaAsстатья
Информация о цитировании статьи получена из
Scopus
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 17 октября 2017 г.
- Авторы: Valeev R.G., Kobziev V.F., Kriventsov V.V., Mezentsev N.A.
- Журнал: Bulletin of the Russian Academy of Sciences: Physics
- Том: 77
- Номер: 9
- Год издания: 2013
- Издательство: Allerton Press Inc.
- Местоположение издательства: United States
- Первая страница: 1157
- Последняя страница: 1160
- DOI: 10.3103/s1062873813090499
- Аннотация: A new approach to the synthesis of ordered GaAs nanostructure massives via thermal deposition onto porous aluminum oxide matrices with ordered channel arrangement is described. The geometric characteristics of nanostructures, their structural states, and local atomic structures are studied. Parameters of local atomic structure (e.g., interatomic distances and coordination numbers) are obtained for comparing to the data on GaAs continuous films.
- Добавил в систему: Валеев Ришат Галеевич
Прикрепленные файлы
| № | Имя | Описание | Имя файла | Размер | Добавлен |
|---|---|---|---|---|---|
| 1. | Полный текст | BRAS_2013-77-9_1157-1160.pdf | 368,2 КБ | 23 мая 2017 [RiVal] |