Strained Si nanowire tunnel FETs and inverters - статья | ИСТИНА – Интеллектуальная Система Тематического Исследования НАукометрических данных

Strained Si nanowire tunnel FETs and invertersстатья

Авторы: Zhao Q.T., Knoll L., Richter S., Schmidt M., Blaeser S., Luong G.V., Wirths S., Nichau A., Schafer A., Trellenkamp S., Hartmann J.M., Bourdelle K.K., Buca D., Mantl S.
Сборник: 2013 Third Berkeley Symposium on Energy Efficient Electronic Systems (E3S)
Год издания: 2013
Место издания: IEEE
DOI: 10.1109/e3s.2013.6705867
Добавил в систему: Бурдель Константин Константинович