|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ИНХС РАН |
||
Nanomechanical Response of the Si Lattice to Hydrogen Implantation and Annealing for Layer Splittingстатья
- Авторы: Gu Diefeng, Baumgart Helmut, Bourdelle Konstantin K., Celler George K., Elmustafa A.A.
- Журнал: Japanese Journal of Applied Physics
- Том: 48
- Номер: 10
- Год издания: 2009
- Издательство: Institute of Pure and Applied Physics
- Местоположение издательства: Japan
- Первая страница: 101202
- Последняя страница: 101202
- DOI: 10.1143/jjap.48.101202
- Добавил в систему: Бурдель Константин Константинович