|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ИНХС РАН |
||
Температурные и деформационные зависимости длины волны и поляризации излучения лазерных диодов на основе гетероструктур p-AlGaAs/GaAsP/n-AlGaAsтезисы доклада
- Авторы: Богданов Е.В., Минина Н.Я.
- Сборник: Мокеровские чтения. 8-ая Международная научно-практическая конференция по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ-электроники. 24 мая 2017 года, Москва
- Тезисы
- Год издания: 2017
- Место издания: Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ" Москва
- Первая страница: 146
- Последняя страница: 147
- Аннотация: В настоящей работе представлены результаты численных расчетов эффекта влияния на длину волны и поляризацию излучения лазерных диодов на основе гетероструктур p-AlGaAs/GaAsP/n-AlGaAs температуры, а также анизотропных деформаций, которые могут возникнуть в результате внешних механических или температурных воздействий. В результате численных расчетов спектры размерного квантования, волновые функции и коэффициенты оптического усиления ТМ и ТЕ поляризационных мод определены для выращенных в направлении [001] гетероструктур p-AlGaAs/GaAsP/n-AlGaAs с содержанием фосфора от 0 до 0.20 и шириной квантовой ямы от 4 до 20 нм в условиях одноосного сжатия и растяжения вдоль кристаллографических направлений [110], [100] и [001] в интервале давлений до 10 кбар при температурах 77 и 300 К.
- Добавил в систему: Богданов Евгений Владимирович