|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ИНХС РАН |
||
Terahertz injection lasers based on PbSnSe alloy with an emission wavelength up to 46.5 $\upmu$mстатья
Информация о цитировании статьи получена из
Web of Science,
Scopus
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 5 июня 2017 г.
- Авторы: Maremyanin K.V., Rumyantsev V.V., Ikonnikov A.V., Bovkun L.S., Chizhevskii E.G., Zasavitskii I.I., Gavrilenko V.I.
- Журнал: Semiconductors
- Том: 50
- Номер: 12
- Год издания: 2016
- Издательство: Springer
- Местоположение издательства: New York
- Первая страница: 1669
- Последняя страница: 1672
- DOI: 10.1134/s1063782616120125
- Аннотация: Diffusion injection lasers based on Pb1 – xSnxSe alloy, emitting in a wide spectral range of 10–46.5 μm depending on the composition and temperatures are fabricated. A technology for growing high-quality single crystals from the vapor phase under conditions of free growth is developed. The dependences of the total emission intensity on the pump current and the emission spectra of injection lasers based on Pb1 – xSnxSe are studied. In these samples, lasing of long-wavelength radiation to a record wavelength of 46.5 μm is achieved.
- Добавил в систему: Иконников Антон Владимирович