|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ИНХС РАН |
||
High-temperature growth and characterization of (Er,Yb):YAl3(BO3)4 single crystal layersстатья
Информация о цитировании статьи получена из
Web of Science,
Scopus
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 14 августа 2017 г.
- Авторы: Volkova E., Markin V., Leonyuk N.I.
- Журнал: Journal of Crystal Growth
- Том: 468
- Год издания: 2017
- Издательство: Elsevier BV
- Местоположение издательства: Netherlands
- Первая страница: 258
- Последняя страница: 261
- DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2016.12.036
- Аннотация: Er0.02Yb0.11Y0.87Al3(BO3)4 epitaxial layers were grown from K2Mo3O10 based fluxed melts using LPE technique. HT-SGDS grown YAl3(BO3)4 single crystals were used as substrates. Growth kinetics and micromorphology of (Er.Yb):YAl3(BO3)4 thin films were investigated.
- Добавил в систему: Волкова Елена Александровна