|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ИНХС РАН |
||
Моделирование кремниевого транзистора со статической индукциейстатья
- Автор: Дудар Н.Л.
- Журнал: Доклады Белорусского государственного университета информатики и радиоэлектроники
- Том: 10
- Номер: 2
- Год издания: 2005
- Первая страница: 79
- Последняя страница: 85
- Аннотация: Моделирование полупроводниковых структур позволяет снизить затраты на изготовление экспериментальных образцов и оптимизировать параметры элементов интегральных схем и приборов. В даннбй работе представлены результаты моделирования кремниевого транзистора со статической индукцией. Транзисторы со статической индукцией (СИТ) представляют собой структуры с коротким каналом, работающие на полевом эффекте и пригодные для работы в условиях высокой мощности, высокой температуры и высокой частоты. СИТ, для которого проводился расчет, изготовлен на кремниевой пластине с эпитаксиальной пленкой. В эпитаксиальной пленке я-типа были сформированы области базы ^-типа и эмиттера л+-типа. Маршрут изготовления СИТ также включает в себя выращивание локального окисла, который обеспечивает надежную изоляцию р - и /Г-областей транзистора друг от друга. Была разработана одномерная модель транзистора со статической индукцией, которая использовалась для исследований его электрических характеристик. Модель списывается с помощью системы уравнений полупроводника, решение которой в одномерном случае не требует значительных затрат машинного времени. С использованием результатов моделирования технологического маршрута изготовления были рассчитаны распределения плотностей токов и вольт-амперные характеристики СИТ. Моделирование технологического маршрута было выполнено с применением программного средства SUPREM3. Программа SUPREM3 создает файл выходных данных, содержащий таблицы числовых значений моделируемых параметров структуры (распределения концентраций легирующих примесей и подвижных носителей заряда, потенциала и т.п.). Расчеты распределений токов по глубине структуры и расчеты вольт-амперных характеристик прибора проводились численным методом Гуммеля
- Добавил в систему: Лагунович Наталия Леонидовна