|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ИНХС РАН |
||
Fractional Marcus-Hush-Chidsey-Yakopcic current-voltage model for redox-based resistive memory devicesстатья
Статья опубликована в высокорейтинговом журнале
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus- Авторы: Paradezhenko G.V., Prodan D.V., Pervishko A.A., Yudin D., Allagui A.
- Журнал: Physical Chemistry Chemical Physics
- Том: 26
- Год издания: 2024
- Издательство: Royal Society of Chemistry
- Местоположение издательства: United Kingdom
- Первая страница: 621
- Последняя страница: 627
- DOI: 10.1039/d3cp04177h
- Добавил в систему: Парадеженко Георгий Витальевич