|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ИНХС РАН |
||
Усовершенствованный технологический маршрут формирования биполярного транзистора со статической индукциейстатья
- Автор: Лагунович Н.Л.
- Журнал: Наука и техника
- Том: 17
- Номер: 1
- Год издания: 2018
- Первая страница: 72
- Последняя страница: 78
- DOI: 10.21122/2227-1031-2018-17-1-72-78
- Аннотация: Усовершенствованный маршрут отличается от уже известных тем, что при формировании охранного коль-ца и металлических контактов используется один и тот же фотошаблон. Это позволило не только сократить коли- чество используемых фотошаблонов, но и получить прибор с требуемыми электрическими характеристиками. Приводятся результаты технологического и приборного моделирования биполярного транзистора со статической индукцией, изготовленного по усовершенствованному маршруту, и данные измерений электрофизических парамет-ров его экспериментальных образцов, а также сравнение результатов моделирования с экспериментальными данны-ми. На сегодняшний день существует большое количество программных продуктов, позволяющих выполнять физи-ко-топологическое моделирование полупроводниковых структур. Частью такого моделирования является приборно-технологическое, которое еще до получения экспериментальных образцов дает возможность определить, при каких параметрах технологического процесса исследуемая структура будет обладать необходимыми электрическими пара-метрами и характеристиками. Таким образом, приборно-технологическое моделирование представляет собой некое «виртуальное производство» по изготовлению полупроводниковых приборов и микросхем, начиная от этапа запуска полупроводниковой пластины на производстве и заканчивая измерениями электрических характеристик полученной структуры. В настоящей работе приборное моделирование биполярного транзистора со статической индукцией, яв-ляющееся аналогом прямых измерений вольт-амперной характеристики, выполнено с помощью разработанного авто-ром комплекса программ MOD-1D. В основе расчетов прямой ветви вольт-амперной характеристики биполярного транзистора и ее параметров лежит модель, базирующаяся на фундаментальной системе уравнений полупроводника, а процесс рекомбинации носителей заряда описывается выражением Шокли – Рида – Холла и уравнением, отобра-жающим процесс Оже-рекомбинации.
- Добавил в систему: Лагунович Наталия Леонидовна