Аннотация:Целью данной работы были разработка технологического маршрута изготовления и одномерной модели высоковольтного кремниевого диода с пробивным напряжением в диапазоне от 120 В до 150 В. Выполнены технологического моделирование прибора с помощью программы TSuprem4 программного комплекса фирмы Synopsys и его приборное моделирование с помощью разработанной автором программы MOD-1D. Построена зависимость плотности тока диода от прямого напряжения смещения, прикладываемого к структуре исследуемого прибора. С помощью MOD-1D рассчитаны и построены температурные зависимости плотности тока диода для различных уровней инжекции в диапазоне температур от 0 °С до 165 °С. Установлено, что с повышением температуры p-n-перехода при низких уровнях инжекции наблюдается более заметный рост плотности тока исследуемого прибора, чем при высоких уровнях инжекции. Таким образом, при малых напряжениях смещения, прикладываемых к p-n-переходу диода, он более чувствителен к перепаду температур, чем в случае более высоких прямых напряжений, прикладываемых к его структуре. По разработанному автором технологическому маршруту были изготовлены экспериментальные образцы исследуемого прибора типа 2Д695 в условиях производства ОАО «ИНТЕГРАЛ»-управляющая компания холдинга «ИНТЕГРАЛ».