Аннотация:Целью данной работы были разработка одномерных моделей структур с p-n-переходом, получаемых на основе GaAs, GaP и Al0.3Ga0.7As, и исследование их электрофизических свойств и излучательных характеристик методом моделирования. Выполнено приборное моделирование таких структур с помощью разработанной автором программы MOD-1D, которая дала возможность рассчитать и построить зависимости интенсивности излучения исследуемых диодных структур от координаты и получить зависимости положения максимума интенсивности их излучения от напряжения, прикладываемого к p-n-переходу. Установлено, что при низких уровнях инжекции максимум интенсивности излучения смещается от границы p-n-перехода в область с более высоким уровнем концентрации примеси, а в условиях высокого уровня инжекции с ростом напряжения смещения, прикладываемого к p-n-переходу, дальнейшее смещение максимума интенсивности излучения почти прекращается и становится незначительным.