|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ИНХС РАН |
||
Implantation angle influence on penetration of boron channelltd ions into siliconстатья
- Авторы: Gverdtsiteli I.G., Guldamashvili A.I., Diasamidze E.M., Zaslavsky S.A., Kalinin A.N., Kumakhov M.A., Muralev V.A.
- Журнал: Radiation effects
- Том: 19
- Год издания: 1973
- Издательство: Gordon and Breach.
- Местоположение издательства: New York, United States
- Первая страница: 171
- Последняя страница: 174
- Добавил в систему: Кумахов Мурадин Абубекирович
Прикрепленные файлы
| № | Имя | Описание | Имя файла | Размер | Добавлен |
|---|