|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ИНХС РАН |
||
Влияние эффектов размерного квантования на эффективную массу основных носителей заряда в светодиодных гетероструктурах со множественными квантовыми ямами InxGa1−xN/GaNстатья Исследовательская статья
Статья опубликована в журнале из списка RSCI Web of Science
Статья опубликована в журнале из перечня ВАКСтатья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 5 июня 2024 г.
- Авторы: Бурмистров Е.Р., Авакянц Л.П.
- Журнал: Вестник Московского университета. Серия 3: Физика, астрономия
- Том: 79
- Номер: 4
- Год издания: 2024
- Издательство: Изд-во Моск. ун-та
- Местоположение издательства: М.
- Первая страница: 1
- Последняя страница: 8
- DOI: 10.55959/MSU0579-9392.79.
- Добавил в систему: Бурмистров Евгений Романович
Прикрепленные файлы
| № | Имя | Описание | Имя файла | Размер | Добавлен |
|---|---|---|---|---|---|
| 1. | Полный текст | Burmistrov.pdf | 445,9 КБ | 1 июня 2024 [Evgen_105] |