|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ИНХС РАН |
||
Setting Plasma Immersion Ion Implantation of Ar+ Parameters towards Electroforming-Free and Self-Compliance HfO2-Based Memristive Structuresстатья
Статья опубликована в высокорейтинговом журнале
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или ScopusДата последнего поиска статьи во внешних источниках: 12 июня 2024 г.
- Авторы: Permiakova Olga, Pankratov Sergey, Isaev Alexandr, Miakonkikh Andrew, Chesnokov Yuri, Lomov Andrey, Rogozhin Alexander
- Журнал: Nanomaterials
- Том: 14
- Номер: 10
- Год издания: 2024
- Издательство: MDPI
- Местоположение издательства: Basel, Switzerland
- Первая страница: 831
- Последняя страница: 831
- DOI: 10.3390/nano14100831
- Добавил в систему: Панкратов Сергей Александрович
Прикрепленные файлы
| № | Имя | Описание | Имя файла | Размер | Добавлен |
|---|---|---|---|---|---|
| 1. | Полный текст | nanomaterials-14-00831-with-cover.pdf | 4,5 МБ | 6 июня 2024 [pankratov.sa18@physics.msu.ru] |