Аннотация:Представлены результаты исследования фотоэлектрических характеристик кремниевых переключающих структур металл-диэлектрик-полупроводник, где в качестве диэлектрика используются фториды церия, диспрозия или эрбия. Показано, что в состоянии с низким сопротивлением их фотоэлектрические характеристики аналогичны характеристикам структуры металл-туннельный диэлектрик-полупроводник, в частности реализуется механизм инжекционного усиления фототока.