Аннотация:Представлены результаты исследования фотоэлектрических характеристик кремниевых переключающих структур металл-диэлектрик-полупроводник с тонкопленочным диэлектрическим слоем из фторида редкоземельного элемента. Исследованием стационарных и кинетических характеристик фототока показано, что в состоянии с низким сопротивлением к структурам применима модель металл-туннельный диэлектрик-полупроводник.