Комплементарные исследования внутренних пористых слоев кремния, образованных при высокодозной имплантации ионов гелиястатья
Статья опубликована в журнале из списка RSCI Web of Science
Статья опубликована в журнале из перечня ВАК
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 26 января 2022 г.
Аннотация:Методами высокоразрешающей рентгеновской рефлектометрии, резерфордовского обратного рассеяния и просвечивающей электронной микроскопии исследованы приповерхностные слои подложек Si(001), подвергнутые плазменно-иммерсионной ионной имплантации гелия с энергией 2–5 кэВ и дозой 5 × 1017 см–2. Получено распределение электронной плотности по глубине слоя, определены его элементный и фазовый составы. Установлено, что формируемый ионами гелия приповерхностный слой имеет сложное строение и состоит из верхнего аморфизированного субслоя, под которым находится слой с пористостью 30–35%. Показано, что наиболее резкие границы пористого слоя формируются при меньшей энергии имплантируемых ионов.