|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ИНХС РАН |
||
Моделирование функционирования полупроводниковых приборов с учетом дефектов атомной структурыстатья Исследовательская статья
- Автор: Гайнуллин И.К.
- Журнал: Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники
- Том: 27
- Номер: 2
- Год издания: 2024
- Издательство: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования «Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС»
- Местоположение издательства: Москва
- Первая страница: 1
- Последняя страница: 6
- DOI: 10.17073/1609-3577j.met202310.604
- Аннотация: С помощью диффузионно-дрейфовой модели рассчитаны электрофизические характеристики выбранного транзистора. Также был разработан оригинальный программный код для моделирования баллистического электронного транспорта в нанотранзисторах (топологические размеры ~10 нм) с учетом дефектов атомной структуры. Моделирование характеристик полевого нанотранзистора показало, что нарушение кристаллической структуры транзистора, приводит к деградации ВАХ.
- Добавил в систему: Гайнуллин Иван Камилевич
Прикрепленные файлы
| № | Имя | Описание | Имя файла | Размер | Добавлен |
|---|