|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ИНХС РАН |
||
Study of silicon implanted with zinc and oxygen ions via Rutherford backscattering spectroscopyстатья
Информация о цитировании статьи получена из
Scopus
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 28 мая 2015 г.
- Авторы: Privezentsev V.V., Kulikauskas V.S., Zatekin V.V., Petrov D.V., Makunin A.V., Shemukhin A.A., Lutzau A.V., Putrik A.V.
- Журнал: Journal of Surface Investigation: X-ray, Synchrotron and Neutron Techniques
- Том: 8
- Номер: 4
- Год издания: 2014
- Издательство: Pleiades Publishing, Ltd
- Местоположение издательства: Road Town, United Kingdom
- Первая страница: 794
- Последняя страница: 800
- DOI: 10.1134/S1027451014040302
- Аннотация: The structural features and dopant profiles of a Si surface layer implanted with Zn+ and O+ ions are studied via Rutherford backscattering spectroscopy based on the analysis of He2+-ion spectra with the use of the channeling technique. The doping-impurity redistribution is analyzed upon the formation of zinc-oxide nanoparticles. The sample surface morphology is examined by means of atomic-force microscopy and scanning electron microscopy under secondary-electron emission conditions. X-ray phase analysis of the implanted layers is carried out. © 2014 Pleiades Publishing, Ltd.
- Добавил в систему: Шемухин Андрей Александрович