Study of silicon implanted with zinc and oxygen ions via Rutherford backscattering spectroscopyстатья
Информация о цитировании статьи получена из
Scopus
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 28 мая 2015 г.
Авторы:
Privezentsev V.V. ,
Kulikauskas V.S. ,
Zatekin V.V. ,
Petrov D.V. ,
Makunin A.V. ,
Shemukhin A.A. ,
Lutzau A.V. ,
Putrik A.V.
Журнал:
Journal of Surface Investigation: X-ray, Synchrotron and Neutron Techniques
Том:
8
Номер:
4
Год издания:
2014
Издательство:
Pleiades Publishing, Ltd
Местоположение издательства:
Road Town, United Kingdom
Первая страница:
794
Последняя страница:
800
DOI:
10.1134/S1027451014040302
Аннотация:
The structural features and dopant profiles of a Si surface layer implanted with Zn+ and O+ ions are studied via Rutherford backscattering spectroscopy based on the analysis of He2+-ion spectra with the use of the channeling technique. The doping-impurity redistribution is analyzed upon the formation of zinc-oxide nanoparticles. The sample surface morphology is examined by means of atomic-force microscopy and scanning electron microscopy under secondary-electron emission conditions. X-ray phase analysis of the implanted layers is carried out. © 2014 Pleiades Publishing, Ltd.
Добавил в систему:
Шемухин Андрей Александрович