|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ИНХС РАН |
||
Uniaxial compression influence on electroluminescence spectra in p-AlxGa1-xAs/GaAs1-yPy/n-AlxGa1-xAs heterostructuresстатья
Информация о цитировании статьи получена из
Web of Science,
Scopus
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 18 июля 2013 г.
- Авторы: Minina N.Y., Bogdanov E.V., Kissel H., Shirokov S.S., Yunovich A.E.
- Журнал: High Pressure Research
- Том: 28
- Номер: 4
- Год издания: 2008
- Издательство: Taylor & Francis
- Местоположение издательства: United Kingdom
- Первая страница: 559
- Последняя страница: 563
- DOI: 10.1080/08957950802506933
- Аннотация: We present new results on the influence of uniaxial stress up to P=400 MPa along [110] direction on the electroluminescence (EL) spectra of p-AlxGa1-xAs/GaAs1-yPy/n-AlxGa1-xAs double heterostructures. With increasing stress, the emission spectra demonstrate a blue shift of up to 20meV at a pressure of P=400 MPa, while the EL intensity increases under compression. The results are discussed in terms of changes in the band structure under uniaxial compression.
- Добавил в систему: Минина Наталья Яковлевна