|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ИНХС РАН |
||
Inelastic resonance tunneling in S-Sm-S tunnel structuresстатья
Информация о цитировании статьи получена из
Scopus,
Web of Science
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 18 июля 2013 г.
- Авторы: Devyatov I.A., Kupriyanov M.Y.
- Журнал: JETP Letters
- Том: 65
- Номер: 2
- Год издания: 1997
- Издательство: Maik Nauka/Interperiodica Publishing
- Местоположение издательства: Russian Federation
- Первая страница: 171
- Последняя страница: 175
- DOI: 10.1134/1.567307
- Аннотация: Inelastic resonance tunneling through junctions with an amorphous interlayer and superconducting electrodes is studied. The form of the current-voltage characteristic I(V) at low temperature and the temperature dependence of the conductance G(0) at low bias are calculated and are found to be much different from the analogous dependences of structures with normal electrodes. (C) 1997 American Institute of Physics.
- Добавил в систему: Куприянов Михаил Юрьевич
Прикрепленные файлы
| № | Имя | Описание | Имя файла | Размер | Добавлен |
|---|---|---|---|---|---|
| 1. | JETP_Lett_1997_65_171.pdf | JETP_Lett_1997_65_171.pdf | 95,4 КБ | 19 февраля 2016 [mkupr] |