|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ИНХС РАН |
||
Processes in HTS Josephson junctionsстатья
Информация о цитировании статьи получена из
Web of Science
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 29 мая 2015 г.
- Автор: Kupriyanov M.Y.
- Журнал: Journal of Low Temperature Physics
- Том: 106
- Номер: 3-4
- Год издания: 1997
- Издательство: Springer Verlag
- Местоположение издательства: Germany
- Первая страница: 149
- Последняя страница: 158
- DOI: 10.1007/BF02399610
- Аннотация: The current status of understanding the physics of HTS Josephson junctions are reviewed with the focus on SNS devices and structures with the interlayers formed by semiconductor-oxide materials. Recent results of investigations transport properties of HTS/Au interfaces are discussed. It is shown that the Y BCO(001)/Au interface can be considered as a set of constrictions with better transparency via which the gold contacts to ab-planes of the electrode. The main consequences follows from the interface model for the description the processes in edge type SNS HTS Josephson junctions are discussed. The data obtained in HTS junctions with semiconductor oxide interlayers are also briefly reviewed.
- Добавил в систему: Куприянов Михаил Юрьевич
Прикрепленные файлы
| № | Имя | Описание | Имя файла | Размер | Добавлен |
|---|---|---|---|---|---|
| 1. | J_Low_Temp_P_1997_106_149.pdf | J_Low_Temp_P_1997_106_149.pdf | 512,3 КБ | 19 февраля 2016 [mkupr] |