|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ИНХС РАН |
||
Thermoactivated conductivity in p-GaAs/Al0.5Ga0.5As below 5 K under combined influence of illumination and uniaxial stressстатья
Информация о цитировании статьи получена из
Web of Science,
Scopus
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 18 июля 2013 г.
- Авторы: Kraak W., Minina N.Y., Ilievsky A.A., Sorensen C.B., Berman I.V.
- Журнал: Physica Status Solidi (B): Basic Research
- Том: 235
- Номер: 2
- Год издания: 2003
- Издательство: John Wiley & Sons Ltd.
- Местоположение издательства: United Kingdom
- Первая страница: 390
- Последняя страница: 395
- DOI: 10.1002/pssb.200301590
- Аннотация: Strongly thermoactivated negative photoconductivity in p-GaAs/Al0.5Ga0.5As doped with Be is observed under the combined influence of illumination by a red light emitting diode and uniaxial compression at liquid helium temperatures. The effect can be described in a model with deep donor-like traps at the heterointerface below the Fermi level, if a barrier between the ground and excited donor-like states EB = 6 meV is introduced. The barrier does not depend on uniaxial stress that governs the strong resistivity on temperature dependence mainly by the reduction of 2D hole concentration and 2D hole mobility both in dark and under illumination.
- Добавил в систему: Минина Наталья Яковлевна