|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ИНХС РАН |
||
Persistent photoconductivity in p-type Al0.5Ga0.5As/GaAs/Al0.5Ga0.5As heterostructuresстатья
Статья опубликована в высокорейтинговом журнале
Информация о цитировании статьи получена из
Web of Science,
Scopus
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 18 июля 2013 г.
- Авторы: Kraak W., Minina N.Y., Savin A.M., Ilievsky A.A., Berman I.V., Sorensen C.B.
- Журнал: Nanotechnology
- Том: 12
- Номер: 4
- Год издания: 2001
- Издательство: IOP Publishing
- Местоположение издательства: [Bristol, UK], England
- Первая страница: 577
- Последняя страница: 580
- DOI: 10.1088/0957-4484/12/4/341
- Аннотация: Illumination of a double p-Al0.5Ga0.5As/GaAs/Al0.5Ga0.5As heterostructure by a red light-emitting diode results in a negative photoconductivity that, after the diode is switched off, slowly relaxes to a positive persistent photoconductivity (PPPC), characterized by about a 1.5 times increase of two-dimensional hole concentration and a 1.7 times increase of mobility in comparison with the initial state in the dark. This metastable state may be explained in the framework of the model in which deep electron traps are supposed to be located above the Fermi level on the inverted heterointerface. The calculated concentration of interface charges reveals a 2.4 times decrease between the dark and PPPC states that is in qualitative agreement with the assumed model.
- Добавил в систему: Минина Наталья Яковлевна