Выберите категорию обращения:
Общие вопросы
Отчеты
Рейтинги
Мониторинговый отчёт
Диссертационные советы
Конкурсы
Ввод данных
Структура организаций
Аспирантура
Научное оборудование
Импорт педагогической нагрузки
Журналы и импакт-факторы
Тема обращения:
Описание проблемы:
Введите почтовый адрес:
ИСТИНА
Войти в систему
Регистрация
ИСТИНА ИНХС РАН
Главная
Поиск
Статистика
О проекте
Помощь
Na Influence on Ga and As chemical state in GaAs surface layer when polished with NaOCl
статья
Информация о цитировании статьи получена из
Web of Science
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 26 января 2018 г.
Авторы:
Sokolov I.A.
,
Kozlov V.V.
,
Tkalich A.K.
Журнал:
Semiconductor Science
Том:
8
Год издания:
1993
Первая страница:
35
Последняя страница:
38
Добавил в систему:
Козлов Владимир Валентинович