|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ИНХС РАН |
||
СТРУКТУРА И ПРОВОДИМОСТЬ ПЛЕНОК CDSE, ИМПЛАНТИРОВАННЫХ СЕЛЕНОМ С ПОМОЩЬЮ ИОННОГО ВНЕДРЕНИЯстатья
Статья опубликована в журнале из списка RSCI Web of Science
Информация о цитировании статьи получена из
Web of Science,
Scopus
Статья опубликована в журнале из перечня ВАК
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 8 сентября 2017 г.
- Авторы: Георгобиани А.Н., Левонович Б.Н., Аветисов И.Х.
- Журнал: Неорганические материалы
- Том: 46
- Номер: 6
- Год издания: 2010
- Первая страница: 674
- Последняя страница: 677
- DOI: 10.1134/S0020168510060063
- Аннотация: We have studied the effect of annealing on the spectral and photoelectric properties of polycrys talline CdSe films produced by thermal evaporation and implanted with Se ions to doses from 5 × 1015 to 5 × 1016 cm–2. The results demonstrate that, when cadmium vacancies and selenium interstitials are major defects, annealing leads to the formation of microcrystalline twophase layers during recrystallization, which have low ptype conductivity due to a shallow acceptor at Ev + 0.04–0.05 eV, related to interstitial selenium
- Добавил в систему: Аветисов Игорь Христофорович