|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ИНХС РАН |
||
Система контроля процесса реактивно-ионного травления кремния для создания наноструктурстатья
Статья опубликована в журнале из списка RSCI Web of Science
Статья опубликована в журнале из перечня ВАКСтатья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
- Авторы: Циняйкин И.И., Андреева А.С., Михайлов П.О., Колпаков М.А., Нибудин Г.В., Преснова Г.В., Рубцова М.Ю., Преснов Д.Е., Снигирев О.В., Крупенин В.А., Трифонов А.С.
- Журнал: Вестник Московского университета. Серия 3: Физика, астрономия
- Том: 80
- Номер: 1
- Год издания: 2025
- Издательство: Изд-во Моск. ун-та
- Местоположение издательства: М.
- Номер статьи: 2510301
- DOI: 10.55959/MSU0579-9392.80.2510301
- Аннотация: Разработана система контроля работы лазерного интерферометра для установки реактивно-ионного травления. Для прецизионной калибровки скорости травления верхнего слоя кремния материала кремний на изоляторе изготовлена серия чипов с одинаковой структурой. Толщина структуры на каждом чипе менялась в зависимости от времени травления. Высота получившихся ступенек измерена с помощью полуконтактного режима атомно-силового микроскопа. Для режима травления в плазме газов CF4 и O2 (соотношение потоков 20:5, давление 4 Па, мощность 40 Вт) определена скорость травления кремния - 0.31 ±0.1 нм/с, что позволяет контролировать глубину травления кремния в диапазоне от 5 до 120 нм с точностью не хуже 2 нм. Полученные результаты позволяют решить ряд задач при создании различных кремниевых наноэлектронных устройств. В частности, при формировании кремниевых каналов-нанопроводов полевых транзисторов необходимо с высокой точностью контролировать толщину кремниевого слоя в процессе реактивно-ионного травления.http://vmu.phys.msu.ru/abstract/2025/1/2510301/
- Добавил в систему: Преснов Денис Евгеньевич
Прикрепленные файлы
| № | Имя | Описание | Имя файла | Размер | Добавлен |
|---|