Аннотация:В настоящей работе в целях поиска и разработки новых материалов спинтроники методом химического осаждения из паров металлорганических прекурсоров (MOCVD) получены тонкие пленки феррограната Tm3Fe5O12 на монокристаллических подложках Gd3Ga5O12(111) – GGG и Y3Al5O12(111) - YAG. Пленки Tm3Fe5O12 были исследованы методами рентгеновской дифракции, рентгеноспектрального микроанализа, спектроскопии комбинационного рассеяния (КР) и терагерцовой (ТГц) импульсной спектроскопии.Показан эпитаксиальный характер пленок, осажденных на подложки обоих типов. Обнаружено, что рост гранатной пленки в высокотемпературных вакуумных условиях MOCVD на подложке GGG осложнен испарением оксида галлия, что становится причиной внедрения оксида железа в приповерхностный слой подложки, обогащения примыкающего слоя пленки оксидом тулия и образования нестехиометрического граната с антиструктурными дефектами. Сделан вывод о большей перспективности подложек YAG, поскольку гетероэпитаксия феррогранатов на них не имеет подобных осложнений.