|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ИНХС РАН |
||
Моделирование образования молекулярной структуры в результате теплового пробоя в аморфном углеродестатья
Статья опубликована в журнале из списка RSCI Web of Science
Статья опубликована в журнале из перечня ВАК- Авторы: Попов А.М., Гришанин А., Никишин Н.Г., Шумкин Г.Н.
- Журнал: Вычислительные методы и программирование
- Том: 15
- Номер: 1
- Год издания: 2014
- Издательство: Научно-исследовательский вычислительный центр Московского государственного университета им. М.В. Ломоносова
- Местоположение издательства: Москва
- Первая страница: 201
- Последняя страница: 210
- Аннотация: Предложена многомасштабная модель памяти на фазовом переходе. Процесс моделируется самосогласованно на трех уровнях. На первом уровне проводятся вычисления квантовой молекулярной динамики из первых принципов c учетом пространственного распределения температуры. Временн\'ая эволюция электронной структуры моделируется на втором уровне с использованием редуцированной молекулярной динамики Эренфеста в окрестности фазового перехода второго рода. На третьем уровне вычисляется новое пространственное распределение температуры с помощью уравнения теплопроводности в сплошной среде. Вычисления показывают образование графитовой послойной молекулярной структуры из аморфного состояния под действием температурных эффектов. Эволюция электронной плотности приводит к локализации пространственной зависимости проводимости. Пространственно локализованный джоулев источник инициирует возникновение тепловой неустойчивости и таким образом поддерживает структуру. Такое поведение может объяснить возникновение S-образной формы вольт-амперной характеристики проводящей наноточки в эксперименте. Вычисления проводились на суперкомпьютере IBM Blue Gene/P, установленном на факультете ВМК МГУ.
- Добавил в систему: Попов Александр Михайлович