Dipolar electron-hole liquid in a double-well SiGe/Si heterosystemстатья

Информация о цитировании статьи получена из Scopus
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 27 января 2018 г.

Работа с статьей


[1] Akmaev M. A., Burbaev T. M. Dipolar electron-hole liquid in a double-well sige/si heterosystem // Journal of Physics: Conference Series. — 2017. — Vol. 816, no. 1. — P. 012016. The transition from a dipolar to a spatially direct electron-hole liquid in two-dimensional layers of a type-II (buffer Si1-y Ge y )/tSi/sSi1-x Ge x/tSi/(cap Si1-y Ge y ) heterostructure is investigated by photoluminescence spectroscopy at liquid-helium temperatures at high excitation levels. The transition takes place upon a reduction of the thickness of the sSi1-x Ge x layer, which forms a quantum well for holes in the valence band and a barrier in the conduction band separating the electron quantum wells (tSi layers). The main characteristics of both types of electron-hole liquid are determined. The lifetime of dipolar excitons is determined from photoluminescence kinetics measurements. [ DOI ]

Публикация в формате сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл скрыть