Влияние одноосных деформаций и температуры на параметры излучения лазерных диодов на основе структур p-AlGaAs/GaAsP/n-AlGaAs

Авторы: Богданов Е.В., Минина Н.Я.
Сборник: Тезисы докладов. Российская конференция и школа молодых учёных по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых) “ФОТОНИКА – 2017”. Новосибирск, 11 – 15 сентября 2017 г
Тезисы
Год издания: 2017
Место издания: Издательско-полиграфический центр НГУ Новосибирск
Первая страница: 1.16
Аннотация: В работе представлены результаты численных расчетов, которые позволяют изучить влияние на длину волны и поляризацию излучения лазерных диодов на основе структур p-AlGaAs/GaAsP/n-AlGaAs температуры, а также анизотропных деформаций, которые могут возникнуть в результате внешних механических или температурных воздействий.
Добавил в систему: Богданов Евгений Владимирович

	ИСТИНА	Войти в систему Регистрация
	ИСТИНА ИНХС РАН
	Главная Поиск Статистика О проекте Помощь

ИСТИНА