|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ИНХС РАН |
||
Моделирование чувствительного элемента датчика давления на основе биполярного тензотранзисторастатья Исследовательская статья
Статья опубликована в журнале из списка RSCI Web of Science
Статья опубликована в журнале из перечня ВАК- Авторы: Басов Михаил Викторович, Пригодский Денис Михайлович
- Журнал: Датчики и системы
- Том: 6
- Номер: 215
- Год издания: 2017
- Издательство: СенСидат-Контрол
- Местоположение издательства: М.
- Первая страница: 17
- Последняя страница: 24
- Аннотация: Проведено моделирование высокочувствительной микроэлектромеханической системы (МЭМС) преобразователя давления, основанной на функционировании электрической схемы дифференциального каскада с тензочувствительными активными (биполярные n-p-n транзисторы) и пассивными (резисторы p-типа) элементами. Анализ проводился на ос-нове разработанной математической модели для кристалла датчика давления с электри-ческой схемой тензорезистивного моста и теоретических выводов относительно измене-ния электрических параметров биполярного транзистора при воздействии деформации.
- Добавил в систему: Басов Михаил Викторович
Прикрепленные файлы
| № | Имя | Описание | Имя файла | Размер | Добавлен |
|---|---|---|---|---|---|
| 1. | Modelirovanie_chuvstvitelnogo_elementa_datchika_davleniya_n… | Modelirovanie_chuvstvitelnogo_elementa_datchika_davleniya_n… | 960,8 КБ | 21 октября 2019 [BasovMikhail] |