Акустоэлектронный нанобиосенсор

Анисимкин, В.И.; Дагесян, С.А.; Колесов, В.В.; Кузнецова, И.Е.; Ткачев, С.В.; Солдатов, Е.С.

Авторы: Анисимкин В.И., Дагесян С.А., Колесов В.В., Кузнецова И.Е., Ткачев С.В., Солдатов Е.С.
Сборник: Сборник трудов 27-й Международной Крымской конференции СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии, 10—16 сентября 2017 г. Севастополь, Крым, Россия
Том: 4
Тезисы
Год издания: 2017
Место издания: г. Севастополь, Россия
Первая страница: 954
Последняя страница: 959
Аннотация: Использование методов акустоэлектроники и интеграция нанобиосенсоров с акустическими линиями задержки в рамках планарных технологий дают возможность создания акустобионаноэлектронных датчиков с повышенной чувствительностью и селективностью. В работе разработан акустоэлектрический чип-сенсор на основе монокристаллической пластины ниобата лития толщиной 0.35 мм с системой встречно-штыревых преобразователей (ВШП) для возбуждения соответствующей акустической волны, который вставляется в чип-холдер со стандартным разъемом ножевого типа. Для создания планарной наноструктуры наноэлектронного трансдьюсера использовалась технология стандартной фотолитографии, различных фоторезистов и реактивного ионного травления и магнетронного напыления. Область размером 80х80 микрон в центре чипа служила для формирования электронной наноструктуры, которая является прообразом наноэлектронного трансдьюсера. В полученных наноструктурах могут быть сформированы нанозазоры для иммобилизации молекул белков-ферментов и создании селективных молекулярных биосенсоров.
Добавил в систему: Солдатов Евгений Сергеевич

	ИСТИНА	Войти в систему Регистрация
	ИСТИНА ИНХС РАН
	Главная Поиск Статистика О проекте Помощь

ИСТИНА

ИСТИНА ИНХС РАН

Акустоэлектронный нанобиосенсортезисы доклада

Прикрепленные файлы