|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ИНХС РАН |
||
Одноэлектронный транзистор на базе одноатомного зарядового центратезисы доклада Исследовательская статья
- Авторы: Гайдамаченко В.Р., Белоглазкина Е.К., Петров Р.А., Дагесян С.А., Сапков И.В., Солдатов Е.С.
- Сборник: Сборник трудов 27-й Международной Крымской конференции СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии, 10—16 сентября 2017 г. Севастополь, Крым, Россия
- Том: 4
- Тезисы
- Год издания: 2017
- Место издания: г. Севастополь, Россия
- Первая страница: 1025
- Последняя страница: 1031
- Аннотация: Разработана оригинальная методика изготовления металлических электродов нанотранзистора с нанозазором менее 4 нм между ними с помощью контролируемой электромиграции предварительно подвешенных нанопроводов системы. Разработан метод встраивания молекулы аурофильного производного терпиридина на основе родия между полученными электродами. Приведены характеристики электронного транспорта через систему, включающую указанную молекулу, свидетельствующие о реализации режима коррелированного (одноэлектронного) туннелирования электронов.
- Добавил в систему: Солдатов Евгений Сергеевич
Прикрепленные файлы
| № | Имя | Описание | Имя файла | Размер | Добавлен |
|---|---|---|---|---|---|
| 1. | Полный текст | ottisk_atomnyij_t-r_1025-1031.pdf | 1,5 МБ | 4 октября 2017 [SoldatovES] |