Аннотация:В настоящей работе представлены результаты экспериментальных исследований полевых транзисторов с каналом нанопроводом из КНИ с толщиной верхнего кремниевого слоя 110 нм, изготовленных традиционными для полупроводниковой электроники методами электронной литографии и реактивно-ионного травления.