Выберите категорию обращения:
Общие вопросы
Отчеты
Рейтинги
Мониторинговый отчёт
Диссертационные советы
Конкурсы
Ввод данных
Структура организаций
Аспирантура
Научное оборудование
Импорт педагогической нагрузки
Журналы и импакт-факторы
Тема обращения:
Описание проблемы:
Введите почтовый адрес:
ИСТИНА
Войти в систему
Регистрация
ИСТИНА ИНХС РАН
Главная
Поиск
Статистика
О проекте
Помощь
Experimental determination of the subband effective mass and the electron mobility in the isomorphic InGaAs quantum well with InAs inserts on InP substrate
статья
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 9 июня 2015 г.
Авторы:
Kulbachinskii V.A.
,
Oveshnikov L.N.
,
Lunin R.A.
,
Yuzeeva N.A.
,
Losev G.D.
,
Galiev G.B.
,
Klimov E.A.
,
Maltsev P.P.
Сборник:
Proceedings, 22nd International Symposium NANOSTRUCTURES: Physics and Technology, June 23-27, St. Petersburg
Год издания:
2014
Место издания:
A.I. Ioffe Institute Saint Petersburg
Первая страница:
39
Последняя страница:
40
Добавил в систему:
Кульбачинский Владимир Анатольевич