|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ИНХС РАН |
||
Calculation of the Electron Emission Coefficient during Fast Ion Passage trough Siliconстатья
Информация о цитировании статьи получена из
Scopus
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 23 января 2026 г.
- Авторы: Novikov N.V., Chechenin N.G., Shirokova A.A.
- Журнал: Journal of Surface Investigation: X-ray, Synchrotron and Neutron Techniques
- Том: 19
- Номер: 4
- Год издания: 2025
- Издательство: Pleiades Publishing, Ltd
- Местоположение издательства: Road Town, United Kingdom
- Первая страница: 927
- Последняя страница: 934
- DOI: 10.1134/S1027451025701344
- Аннотация: A method based on perturbation theory for describing ion–atom ionization collisions and an algo-rithm for statistical modeling of secondary electron trajectories are proposed for calculating the electronemission coefficient from a structureless solid target. The main contribution to the number of electrons emit-ted from the surface comes from electrons with energies Ee < 50 eV. Only a small target layer with a thicknessof 20–40 Å determines the number of electrons emitted from the surface. If the target thickness exceeds thisvalue, the electron emission coefficient does not depend on the target thickness. The change in the energyand charge of a fast ion in such a thin layer can be ignored, and the energy and charge of an ion emitted from the target can be used to estimate the number of secondary electrons.
- Добавил в систему: Широкова Алла Анатольевна
Прикрепленные файлы
| № | Имя | Описание | Имя файла | Размер | Добавлен |
|---|